Память STT-MRAM обличается высокой скоростью работы и потребляет небольшое количество энергии, помимо этого, она является энергонезависимой, сохраняя записанные в нее данные при отключении питания. Из-за этих особенностей такая память рассматривается в качестве перспективного варианта для реализации основной памяти встраиваемых систем, быстрой кэш-памяти для микропроцессоров и программируемой логики.
В течение прошедшего 2018 года всего три завода в мире начали производство чипов STT-MRAM памяти, но емкость этих чипов находится в диапазоне от 8 до 40 мегабит, чего недостаточно с учетом современных требований.
Как упоминалось ранее, исследователям из центра CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) университета Тохоку удалось упаковать на кристалл чипа массив STT-MRAM памяти, емкостью 128 МБ. Главную роль в этом достижении сыграл многоэтапный процесс миниатюризации ячеек памяти, основой которых является магнитный туннельный переход (magnetic tunnel junction, MTJ), включенный в общую схему при помощи стандартных CMOS-технологий.
В данном случае магнитные туннельные переходы были сформированы прямо внутри переходных отверстий (via), соединяющих различные слои полупроводникового материала. Именно это позволило сократить размер ячейки памяти и создать чип, емкостью в 128 МБ. После создания экспериментального образца такого чипа исследователи измерили время записи информации, которое было равно 14 наносекундам при напряжении питания в 1.2 Вольта.
Сейчас эта группа исследователей продолжает работу в двух направлениях. Первым направлением является адаптация разработанной ими структуры ячейки памяти к условиям и требованиям крупномасштабного промышленного производства, это, в свою очередь, позволяет надеяться на скорое появление на рынке 128 МБ чипов STT-MRAM памяти. Параллельно с этим исследователи работают над совершенствованием структуры ячейки памяти, что в перспективе позволит еще уменьшить время записи в нее информации и уменьшить количество требующейся для этого энергии.
Другие новости
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.